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连载三:电源用什么拓扑结构?哪些因素去衡量?

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<strong>四、其他模式flyback设计</strong>

CCM/DCM Flyback设计

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在功率较大时,如65W。为了降低低压

输入时的导通损耗,使低压输入时进入CCM模式。高压输入时,DCM模式。

<strong>设计步骤与DCM模式相同,设计公式不同。</strong>

– 计算原边电感值公式不同

– 计算匝比公式不同

– 计算开关管电压、电流应力不同

– 计算二极管电压、电流应力不同

– 计算输出纹波不同

<strong>Boundary CM Flyback</strong>

连载二:电源用什么拓扑结构?哪些因素去衡量?

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<strong>三、元器件设计</strong>

例:Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计?

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① 计算电路工作参数。输入、输出电压

② 运行参数。开关频率、最大占空比

连载一:电源用什么拓扑结构?哪些因素去衡量?

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<strong>一、评估设计指标</strong>

<strong>1.输入参数:输入电压大小,交流还是直流,相数,频率等。</strong>

• 国际电压等级有单相120Vac,220Vac,230Vac等。国际通用的交流电压范围为85~265V。一般包括输入电压额定值及其变化范围;

• 3kW以下功率常选用单相输入,5kW以上选用三相输入;

• 工业用电频率一般为50Hz或者60Hz,航空航天电源、船舶用电为400Hz.

• 有无功率因数(Power Factor)和谐波(Total Harmonics Distortion)指标

<strong>2.输出参数:输出功率,输出电压,输出电流,纹波,稳压(稳流)精度,调整率,动态特性(稳定时间:settling time)、电源的启动时间和保持时间。</strong>

• 输出电压:额定值+调节范围。输出电压的上限应尽量靠近额定值,以避免不必要的过大的设计余量。

• 输出电流:额定值+过载倍数。有稳流要求的还会指定调节范围。有些电源不允许空载,因此还应指定电流下限。

【视频】电源管理设计小贴士 | 简谈微处理器在电源内部的使用

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本视频将为大家讲解在电源设计中使用微处理器的相关内容。

<center><video autoplay="" controls="" name="media" style="width:600px;"><source src="http://cloud.eeworld.com.cn///courselesson/3902/20161128105957-51z28k.m…; type="video/mp4" /></video></center>

LDO基础知识:电源抑制比

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低压差线性稳压器(LDO)最大的优点之一是它们能够衰减开关模式电源产生的电压纹波。这对锁相环(PLL)和时钟等信号调节器件在内的数据转换器尤为重要,因为噪声电源电压会影响性能。我的同事Xavier Ramus在博客中介绍了噪音对信号调节设备的不利影响:减少高速信号链电源问题。然而,电源抑制比(PSRR)仍然通常被误认为单一的静态值。在这篇文章中,我将尝试说明什么是PSRR以及影响它的变量有哪些。

<strong>什么是PSRR?</strong>

PSRR是许多LDO数据手册中的公共技术要求。它规定了某个频率的AC元件从输入到LDO输出的衰减程度。公式1表示PSRR为:

我一说你就懂的电源知识——从Buck-Boost到Flyback

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电源的拓扑有很多种,但是其实我们能够理解一种拓扑,就可以理解其他拓扑结构。因为组成各种拓扑的基本元素是一样的。

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对于隔离电源。大家接触最多的电路拓扑应该是 flyback。

但是大家一开始做电源的时候,不会设计,连分析也不懂,唯一能做的是模仿(额,难听点就是抄袭了)。这样子的状态持续了一段时间后,才开始慢慢的有一些了解。但对于新手来说,如果能从基本拓扑结构BUCK、BOOST进行演变成更复杂的拓扑结构,那么我们融会贯通的理解各种拓扑结构,就变得非常容易。
其实理解隔离电源,相对非隔离DCDC来说,需要多理解一个基本元素——变压器。然后很多基本原理也可以通过基本拓扑进行演变。

本文就是做了一个演变的过程分析。

从5大技术分析LED日光灯电源发热烧坏MOS管

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LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。

<strong>1、芯片发热</strong>

本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。再简单一点,就是考虑更好的散热吧。

<strong>2、功率管发热</strong>

功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:

同步整流可改善反激式电源的交叉调整率

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当选择一个可从单电源产生多输出的系统拓扑时,<a href="http://www.ti.com.cn/zh-cn/power-management/offline-isolated-dcdc-contr…; target="_blank">反激式电源</a>是一个明智的选择。由于每个变压器绕组上的电压与该绕组中的匝数成比例,因此可以通过匝数来轻松设置每个输出电压。在理想情况下,如果调节其中一个输出电压,则所有其他输出将按照匝数进行缩放,并保持稳定。

然而,在现实情况中,寄生元件会共同降低未调节输出的负载调整。在本电源小贴士中,我将进一步探讨寄生电感的影响,以及如何使用同步整流代替二极管来大幅提高反激式电源的交叉调整率。