GaN

了解我们的隔离、控制、检测和通信技术如何直接通过部署WBG（宽带隙）功率转换及日益复杂的多级控制拓扑来解决面临的挑战。

有一种说法，最传统的半导体是硅Si，主要解决数据运算、存储的问题；而最新的半导体却以GaN为代表，它在光电转化方面性能突出，在微波信号传输方面效率很高，可以广泛地应用于照明、显示和通讯领域。可以说，GaN确实是目前最为新鲜的半导体技术，而且它的未来前景十分广阔！

Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。 该器件包含两个80V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频GaN FET驱动器驱动。 GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。

大多数的人已经了解了GaN在开关速度方面的优势，及能从这些设备中获得的利益。缩小功率级极具吸引力，而更高的带宽则是锦上添花！假设您拥有可使车速达到200英里/小时的汽车轮胎，但您的车只有60英里/小时的悬架、制动和转向系统，这时，我们需要的是GaN驱动程序，不仅可以处理速度和传播延迟，也可以帮助GaN设备自身优化。

观看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天与国防业务部门总经理）的访谈，了解氮化镓器件和解决方案的最新进展与新应用。

新的IC制程开发与商用化(特别是有些突破的类型)，对我来说，似乎总会像组件技术出现一样奇妙又神秘的结束。 没错，的确也存在智能的电路、架构与拓扑，但构思一种新制程以及使其实现甚至能够导入制造——符合现实所要求的一切——似乎还需要极度仰赖物理法则、材料科学与量子理论等。 不仅如此，在你推动该新制程技术进展后，还必须提出设计原则与模块，让IC设计人员与生产流程能够实际利用。

作者:Barry Manz, Mouser Electronics

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓（GaN）解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要，设计工程师一直在寻找GaN技术等可替代传统MOS技术的方案，以节省能源、降低各种工业和消费电力交换系统的尺寸。