GaN

新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。

全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. 宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。

随着硅基晶体管技术的功率密度、击穿电压和开关频率接近理论极限，依靠传统硅基MOSFET和IGBT晶体管提升电机驱动性能变得越来越难

满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。

满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。

今天，在功率电子领域，氮化镓（GaN）正在取代硅（Si）器件，成为越来越多大功率密度、高能效应用场景中的主角。

本文重点介绍了由LT8418驱动的GaN半桥转换器的关键设计实践。

本文将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。

本文介绍了一种新型单级转换器参考设计 TIDA-010954，该设计使上述终端设备的实施更高效、体积更小，同时降低了成本。