Vishay

Vishay DG 增强模拟开关 IC 具有 16V 扩展工作电压范围和增强的漏电流限制。 DG 增强 IC 还具有更低的开关导通电阻以及整体降低的功耗。 该 IC 提供增强的坚固性，同时具有更高的闭锁电流和更强的 ESD 能力。 DG 增强系列采用高密度工艺制造，不仅提高了制造能力，还缩短了交付时间。 该 IC 支持诸如工业、仪器以及医疗等市场的模拟开关产品。

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Vishay DG 增强模拟开关 IC 具有 16V 扩展工作电压范围和增强的漏电流限制。 DG 增强 IC 还具有更低的开关导通电阻以及整体降低的功耗。 该 IC 提供增强的坚固性，同时具有更高的闭锁电流和更强的 ESD 能力。 DG 增强系列采用高密度工艺制造，不仅提高了制造能力，还缩短了交付时间。 该 IC 支持诸如工业、仪器以及医疗等市场的模拟开关产品。

<strong>特性</strong>
从目前的 12V 和 ±6V 工作电压分别扩展到 16V 单电源电压和 ±8V 双电源电压
开关导通电阻更低，容差得到改进
开关漏电限制得到改进，降低了 50%
寄生电容更低，降低了约 30%
功耗降低约 98%，从 0.2mA 降低到 3.5uA (V+ = 12V)
闭锁电流 从 200mA 提高到 300mA
ESD/HBM 从 2KV 增强到 2.5KV

Vishay VEML6075 UVA 和 UVB 光传感器是一个使用 CMOS 的单芯片解决方案，整合了光电二极管、放大器、模拟/数字电路和 一个 I2C 接口。 VEML6075 能够检测 UVA 和 UVB 强度，以测量信号强度，并在使用紫外传感器时进行 UVI 测量。 该传感器将太阳紫外线光转换为数字数据，长期暴露在太阳紫外线下仍可保持可靠的性能。

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<font color="#FF8000">这些小尺寸器件适合智能手机和可穿戴设备，高度小于0.4mm，典型电容低至0.35pF</font>

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的双向对称（BiSy）两线ESD保护二极管---<a href="http://www.vishay.com/ppg?85923">VBUS05M2-HT1</a&gt;。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装，可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封装的产品节省空间，具有超低电容和漏电流，可保护高速数据线免受瞬变瞬态电压信号的干扰。<!--break-->

专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Vishay Intertechnology的新款VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块。

器件具有单开关和低边斩波器两种配置，采用先进的650 V超结MOSFET技术，优化RDS(on)-Qg之间的均衡

车规级器件功率耗散达35 W，提升热性能并节省空间

直接评估型解决方案采用TO-252 (DPAK) 和 TO-263 (D2PAK) 封装，额定功率分别为20 W 和 35 W，阻值范围 1Ω至47kΩ，获得 AEC-Q200 认证，配有可选 PCB 测试板

200 V、400 V和600 V器件厚度仅0.88 mm，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，优化热性能并提高正向浪涌能力

CHEP系列器件采用紧凑型0402和0603封装，额定功率高达2.8W，工作频率达50 GHz，寄生电抗低