芯塔电子发布1200V/12mΩ SiC MOSFET judy / 周三, 11 三月 2026 - 17:45 TM4G0012120K其12mΩ的超低导通电阻（VGS=18V，ID=75A，Tj=25℃）配合1200V的击穿电压能力，为高功率密度应用树立了新的技术标杆 阅读更多 关于 芯塔电子发布1200V/12mΩ SiC MOSFET登录或注册以发表评论