SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺 winniewei / 周二, 23 九月 2025 - 10:24 韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。 阅读更多 关于 SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺登录或注册以发表评论