X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力 judy / 周一, 23 六月 2025 - 16:54 全新ISOMOS1模块实现更高填充因子和更小面积需求 阅读更多 关于 X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力登录或注册以发表评论
X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力 winniewei / 周一, 23 六月 2025 - 11:18 全新ISOMOS1模块实现更高填充因子和更小面积需求 阅读更多 关于 X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力登录或注册以发表评论
探秘 CMOS SPAD 与量子应用的神奇融合 judy / 周五, 28 六月 2024 - 16:12 量子技术被视为未来的关键技术之一。通过量子技术,可以开发出远超过传统系统性能的高效技术。通过控制单个量子,许多颠覆性的应用将成为可能 阅读更多 关于 探秘 CMOS SPAD 与量子应用的神奇融合登录或注册以发表评论
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件 judy / 周五, 17 十一月 2023 - 14:31 新的单光子雪崩二极管(SPAD)器件可使得整个近红外(NIR)波段的灵敏度均得到加强,关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。 阅读更多 关于 X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件登录或注册以发表评论
DB HiTek 完成了全局快门和 SPAD 技术开发,将进一步拓展图像传感器 winniewei / 周五, 16 四月 2021 - 10:39 DB HiTek宣布, 公司已开发出基于110纳米的全局快门(global shutter)和单光子雪崩二极管 (SPAD:single-photon avalanche diode)工艺,并将扩展其图像传感器市场。 阅读更多 关于 DB HiTek 完成了全局快门和 SPAD 技术开发,将进一步拓展图像传感器登录或注册以发表评论
X-FAB对其180nm APD和SPAD器件进行重大改进,提升光子探测性能并增加其有源区面积 winniewei / 周四, 4 二月 2021 - 13:53 全球公认的卓越光电解决方案制造商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出最新一代的雪崩光电二极管(APD)和单光子雪崩二极管(SPAD)器件。 阅读更多 关于 X-FAB对其180nm APD和SPAD器件进行重大改进,提升光子探测性能并增加其有源区面积登录或注册以发表评论