SK keyfoundry

• 成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已正式推出，并将与国内外主要客户启动全面的产品开发，目标是在年内实现量产。

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布，该公司已携手LB Semicon成功联合开发基于8英寸晶圆的关键封装技术Direct RDL（重布线层），并完成了可靠性测试。