DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务 winniewei / 周三, 12 一月 2022 - 10:57 DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。 阅读更多 关于 DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务登录或注册以发表评论