MOSFET

第一种：雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定V_DSS的电涌电压，而且达到击穿电压V_(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。

MOSFET栅极驱动调整电路：R16、R17、R18、D17

俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。

处理MOSFET非线性电容

由 526095766_642 提交于周二, 21 五月 2019 - 11:12

自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆R_DSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。电荷平衡技术最初是为能够产生超结（superjunction）MOSFET的高电压器件而开发的，现在该技术也扩展到更低的电压。虽然该技术大幅度降低了R_DSON以及所有的连结电容，但它也使得后者更加非线性化。MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了，并且是显著地减少了，但是，计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得最佳性能，已经成为一项相当复杂的事情。

我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。

一、什么是安全工作区？

关于MOSFET驱动电阻该如何选择？

由 cathy 提交于周五, 19 四月 2019 - 15:53

等效驱动电路：

L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。

Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

令驱动电流

得到关于Cgs上的驱动电压微分方程：

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司

摘要

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的

一、功率MOSFET的正向导通等效电路

1）等效电路：

2）说明：

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件：

1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；

2）感性谐振腔并有足够的感性电流；

3）要有足够的死区时间维持ZVS。