LMG5200

Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。 该器件包含两个80V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频GaN FET驱动器驱动。 GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。