IGBT

2021慕尼黑上海电子展览会即将于4月14日至16日在上海新国际博览中心举办。慕尼黑上海电子展作为电子行业展览，是行业内重要的盛事。本届慕尼黑上海电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等。

3月11日，东芝电子元件及存储装置株式会社将通过日本的Kaga Toshiba Electronics Corporation建设300mm晶圆制造厂，扩大功率器件的产能。新生产线的量产将于2023财年上半年开始。

双电压整流电路需要搭载两个桥式电路吗？

今日，英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后，将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线，满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。

2019岁末，新型冠状病毒突袭人类，引起发热、咳嗽、呼吸窘迫等症状。在严峻的形势面前，能够快速识别并确诊病例成为能否打赢这场战役的重中之重。

新冠病毒诊疗指南指出，COVID-19感染者的肺部影像学表现为：早期呈现多发小斑片影及间质改变，以肺外带明显。进而发展为双肺多发磨玻璃影、浸润影，严重者可出现肺实变，胸腔积液少见。

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司

摘要

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（电力晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

序言

当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1）。

IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。

理想等效电路与实际等效电路如图所示：