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TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET

winniewei /

德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59%。

【技术干货】电路入门：关于二极管、晶体管、FET你了解多少呢？

由 cathy 提交于

上次我们学习了无源元件，今天我们接着来复习一下半导体以及使用了半导体的有源元件-二极管、晶体管、FET。

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<strong>导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体</strong>

硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。
根据电流流动的构造，可将半导体分为N型和P型两类。

如何通过LDO、电压监控器和FET延长电池寿命？看这篇就够了!

cathy /

延长电池寿命是各种应用中常见的设计要求。无论是玩具还是水表，设计师都有各式技术来提高电池寿命。在这篇博文中，我将阐述一种可策略性地绕过低掉电线性稳压器（LDO）的技术。

<strong>生成导轨</strong>

使用LDO是从电池产生调节电压的常用方式。对于在完全充电时输出4.2V的单节锂离子（Li-ion）电池尤其如此。

假设您要为电源电压范围在3V至3.6V之间的微控制器（MCU）生成3.3V，并选择TPS706生成该导轨。图1阐述了该电路。

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2017-08/wen_zhang_/100007687-25144-d1.p…; alt=“” width="600"></center><center><i>图1：TPS706从电池调压3.3V</i></center>

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