DC/DC转换器中半导体器件的高频开关特性是主要的传导和辐射发射源。本文章系列的第2部分回顾了DC/DC 转换器的差模（DM）和共模（CM）传导噪声干扰。在电磁干扰（EMI）测试期间，如果将总噪声测量结果细分为DM 和CM噪声分量，可以确定DM和CM两种噪声各自所占的比例，从而简化 EMI 滤波器的设计流程。高频下的传导发射主要由 CM 噪声产生，该噪声的传导回路面积较大，进一步推动辐射发射的产生。
在第3部分中，我将全面介绍降压稳压器电路中影响 EMI 性能和开关损耗的感性和容性寄生元素。通过了解相关电路寄生效应的影响程度，可以采取适当的措施将影响降至最低并减少总体 EMI 信号。一般来说，采用一种经过优化的紧凑型功率级布局可以降低 EMI，从而符合相关法规，还可以提高效率并降低解决方案的总成本。
检验具有高转换率电流的关键回路
简介
高开关频率是在电源转换技术发展过程中促进尺寸减小的主要因素。为了符合相关法规，通常需要采用电磁干扰 (EMI) 滤波器，而该滤波器通常在系统总体尺寸和体积中占据很大一部分，因此了解高频转换器的 EMI 特性至关重要。
在本系列文章的第 2 部分，您将了解差模 (DM) 和共模 (CM) 传导发射噪声分量的噪声源和传播路径，从而深入了解 DC/DC 转换器的传导 EMI 特性。本部分将介绍如何从总噪声测量结果中分离出 DM/CM 噪声，并将以升压转换器为例，重点介绍适用于汽车应用的主要 CM 噪声传导路径。
DM 和 CM 传导干扰
DM和 CM 信号代表两种形式的传导发射。DM 电流通常称为对称模式信号或横向信号，而 CM 电流通常称为非对称模式信号或纵向信号。图 1 显示了同步降压和升压 DC/DC 拓扑中的 DM 和 CM 电流路径。Y 电容 CY1 和 CY2 分别从正负电源线连接到 GND，轻松形成了完整的 CM 电流传播路径。
简介
多数电源应用必须减少电磁干扰（EMI）以满足相关要求，系统设计人员必须尝试各种方法来减少传导和辐射发射。
电磁兼容性（EMC）标准的合规性（例如，针对多媒体设备的CISPR 32，针对汽车应用的CISPR 25）是一项非常重要的任务，与产品开发成本和上市时间息息相关。
对于DC/DC转换器而言，虽然采用开关更快的电源器件可以提升开关频率并缩小尺寸，但在开关转换期间出现的开关电压和电流转换率（dv/dt和di/dt）有所提升，通常引起EMI加剧，导致整个系统出现问题。
例如，氮化镓（GaN）电源器件的开关速度极快，导致高频条件下的EMI增加10dB。EMI滤波器是电力电子系统不可或缺的组成部分，在总体积和总重量方面占比相对较大。因此，必须非常关注系统的EMI降噪和抑制，不仅要满足EMC规范，还需降低解决方案成本并提高系统功率密度。
本文是EMI系列文章的第一部分，回顾了相关标准和测量技术，主要侧重于传导发射。表1列出了与EMI有关的常用缩写和命名法。