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专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装

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新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计,采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下(Source-down)封装,并集成了创新的栅极中置布局技术,能够有效简化 PCB 走线设计,提升系统布板灵活性与电气性能。

AOS 亮相 APEC 2026:AI 电源与工业方案亮点剧透

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AOS将APEC2026展示其面向AI核心电源、AI工厂和工业电源的先进解决方案。诚邀您莅临#2127展位,一起了解AOS的前沿产品如何支持日益提升的AI算力需求,提供更出色的保护性能与散热管理能力,同时最大程度地提升设计灵活性与端到端系统效率。

αMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台:满足新一代电源管理与高效能应用的需求

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日前,集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出其全新的 aMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台。

突破传统!AOS GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计

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针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升,AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术,通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片,显著提升功率密度和散热效率,相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。