伴随氮化镓（GaN）功率器件、超高速电机与高功率密度系统持续演进，电机控制系统正进入新的技术拐点。

在全球人工智能领域最具影响力的技术盛会之一的 NVIDIA GTC 2026 大会上，英诺赛科凭借在氮化镓（GaN）功率半导体领域的领先技术与产品创新，荣获NVIDIA GTC MGX 生态合作伙伴奖，成为本届大会中唯一获奖的中国芯片企业。

全球领先的氮化镓行业领导者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（02577.HK，简称：英诺赛科）宣布，公司产品已完成了在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并签订了合规的供货协议。

中国领先的智能电动汽车部件及解决方案提供商苏州汇川联合动力系统股份有限公司与氮化镓工艺创新和功率器件制造领域的全球领导者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司，共同宣布采用650V氮化镓的新一代6.6kW OBC系统在长安汽车顺利装车，

美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国

全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. 宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。

在机器人、无人机、低压大功率伺服驱动等应用场景中，高效率、高功率密度的电机驱动方案一直是行业追求的焦点。面对日益增长的低压大功率电机驱动需求，传统硅基器件在开关频率、导通损耗和温升方面逐渐触及瓶颈。

在追求高效能、小体积的电机驱动应用领域，传统硅基(Si) 功率器件已逐渐触及性能天花板。全球领先的氮化镓功率半导体厂商英诺赛科 (Innoscience)，推出了两款高性能低压电机驱动方案：