<font color="#FF8000">作者：Brian King，德州仪器（TI）</font>

在TL431反馈网络中组件值的效果并不明显，但如果您了解传递函数背后的基本方程，您就能快速补偿隔离式电源。

如果您曾设计过隔离式开关电源，那么您可能已经意识到补偿隔离式电源比补偿非隔离式电源更复杂。包含TL431与光耦合器的隔离式电源很复杂，因为这种电源的电路中有两个反馈环路。

虽然许多论文已谈及这个话题，但没有多少资源简要说明过您该如何选择电阻器和电容器值来形成补偿和总环路响应。简单的解决之道是借助齐纳钳位电路消除内部环路。然而，这却不必要地增加了组件数量。稍稍了解一下基本方程，在TL431周围选择补偿值就能像补偿降压电路一样易如反掌。

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓（GaN）解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要，设计工程师一直在寻找GaN技术等可替代传统MOS技术的方案，以节省能源、降低各种工业和消费电力交换系统的尺寸。Panasonic的GaN 解决方案包括功率晶体管、栅极驱动器和评估板，可降低各种电源应用的能量损耗，例如电源、太阳能逆变器、发动机驱动器、电动汽车 (EV) 等。

Mouser现在备货的氮化镓（GaN）解决方案在具有高击穿电压和低导通电阻的硅衬底上使用复合材料GaN，相较于传统硅器件开关速度更高，更易微型化。PGA26E19BA GaN表面贴装 (SMD) 功率晶体管是一个带有600V击穿电压的增强型常关电源开关。即将上市（Mouser备货）的 PGA26C09DV GaN功率晶体管采用TO-220封装，击穿电压同样为600V，可防止电流崩塌。两款器件都具有零恢复损耗，并采用松下专有的栅极注入晶体管(GIT)技术，可实现低导通电阻。GIT技术亦可防止因高电压下导通电阻持续增加而引起的电流崩塌， 确保器件安全工作。