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在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项

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本文详细讨论了GaN技术,解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关,介绍了电路示例,并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且,文中展示了LTspice®工具,以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后,展望了GaN技术的未来。 


IMEC在信越化学工业300毫米QST™衬底上实现超过650V的氮化镓击穿电压,创世界纪录

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QSTTM衬底是一种300毫米氮化镓(GaN)外延生长衬底,由信越化学工业株式会社研发,并已被IMEC的300毫米GaN功率器件开发项目采用,目前正在进行样品评估。

作为领先的垂直整合制造商(IDM),英飞凌在 300mm氮化镓生产路线图方面取得突破

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随着氮化镓(GaN,以下同)半导体需求的持续增长,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正抓住这一趋势,巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商(IDM,以下同)的地位。

如何在开关模式电源中运用氮化镓技术

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本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案,可提供必要的功能,打造稳固可靠的设计。此外,本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用,以便成功部署GaN开关。


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