简化单片机的几个基本概念，你都了解吗？
我们来思考一个问题，当我们在编程器中把一条指令写进单片机内部，然后取下单片机，单片机就可以执行这条指令。
那么这条指令一定保存在单片机的某个地方，并且这个地方在单片机掉电后依然可以保持这条指令不会丢失，这是个什么地方呢？
这个地方就是单片机内部的只读存储器即ROM。
<strong>01、单片机数的本质和物理现象</strong>
我们知道，计算机可以进行数学运算，这令我们非常难以理解，它们只是一些电子元器件，怎么可以进行数学运算呢？
我们人类做数学题如37+45是这样子做的，先在纸上写37，然后在下面写45，然后大脑运算最后写出结果，运算的原材料是37和45，结果是82都是写在纸上的，计算机中又是放在什么地方呢？
为了解决这个问题，先让我们来做一个实验：这里有一盏灯，我们知道灯要么亮，要么不亮，就有两种状态，我们可以用‘0’和‘1’来代替这两种状态：规定亮为‘1’不亮为‘0’。
现在放上三盏灯，一共有几种状态呢？我们列表来看一下：000 / 001 / 010 / 011 / 100 / 101 / 110 / 111。
博客分享：单片机内部FLASH的字节操作
一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的，有的可以按字节读取，但是不能按字节写入。
而且，一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页，如果向某页中的某个位置写入数据，恰好这个位置的前面存了其他数据，那么就必须把这页擦除，存的其他数据也会丢失。
实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作，如果有很多数据需要存放，最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别，后者支持按字节操作且无需擦除，即使某一个地址写坏了，也不影响其他地址。
下面介绍一种方法让内部FLASH"支持"字节操作，且同一页的其他数据不受影响。
<strong>方法原理很简单，下面简单介绍下原理：</strong>
1.根据要写入地址，计算出该地址位于哪一页；
2.读出整个页，存入缓存BUF；
3.将要写入的数据按位置更新到BUF中；
4.擦除该页；
5.写入整个BUF。
可以看出这种方法弊端很明显：
1.耗时长 每次写都要读整个BUF，然后还要先把数据存到BUF里，然后再写入整个BUF；
2.FALSH擦写次数增加，降低使用寿命；
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