预估2Q26一般型DRAM合约价格季增58-63%，NAND Flash合约价格季增70-75%
DRAM原厂积极将产能转向Server（服务器）相关应用，尽管部分终端需求面临下修风险，整体供给持续紧缩、价格仍维持上行趋势
NAND Flash产能向Enterprise SSD（企业级SSD）倾斜，消费应用因价格压力缩减规格
根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增70-75%。
分析各类DRAM产品价格变化，PC DRAM部分，尽管整机需求出现下修，但原厂同步缩减对PC OEM、模组厂的供货，导致原厂满足率较低的PC OEM需加价向原厂或模组厂采购，对价格形成支撑。
北美云端服务供应商(CSP)对AI推理的应用情境逐渐明确，带动AI Server、通用型Server需求上升，大容量RDIMM成为主要采购目标。供给方面，原厂考量Server DRAM的获利居各类产品之首，优先分配位元产出至此。目前原厂也正与主要客户洽谈长期协议（LTA），作为未来扩产依据，然而短期供给仍维持紧缩。
智能手机方面，品牌因存储器成本压力持续累积，不排除自2026年第二季起调整生产计划，但预估上半年对Mobile DRAM的拉货力道暂不致出现大幅收缩。整体而言，随着原厂与指标客户谈定第二季价格、立下涨幅基准，加上原厂欲借由补涨缩小各应用间价差，Mobile DRAM合约价将较前一季持续走升。
Graphics DRAM部分，存储器价格上涨造成笔电、游戏机需求动能减弱，且可分配至GDDR的产能依然不足，第二季报价持续上修。Consumer DRAM的客户多专注于薄利多销的低单价产品，2025年初至今的涨价潮已造成部分产品的存储器成本高于售价，故采购需求略有见缓，但大厂逐步退出Consumer DRAM供给仍为产业失衡主因，供不应求情况未见缓解。
AI算力军备竞赛白热化，产能排挤效应驱动NAND Flash价格续强
2026年第二季NAND Flash原厂虽透过制程升级、调升QLC比例提高位元产出，但增加幅度有限。来自AI Server的需求保持强劲，PC、智能手机厂商则被迫缩减产品容量，以抑制NAND Flash需求量。
即便PC需求不见好转，但买方预期Client SSD价格将持续上行，且担心产能遭Server完全排挤，出现库存回补需求。然而供应商为追求营业利益最大化，持续缩减对Client SSD的供给，第二季价格涨势不减。
随着生成式AI进入大规模应用阶段，高效能SSD需求显著增长，Enterprise SSD订单成长未见放缓。供给方面，2026年将明显缺货，新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出。CSP为确保供货稳定，愿意接受涨价并签订LTA，更增添原厂上调价格动力。
eMMC /UFS部分，即使智能手机市场低迷，旗舰机AI功能对高速传输的需求维持刚性，车用、工控需求也小幅回温。从供给面来看，eMMC/UFS与Enterprise SSD在部分制程上高度重叠，但单位利润远低于后者，导致供给缺口成全产品线之冠，预计第二季价格也将大幅提升。
由于零售市场与闪存卡、U盘需求在涨价压力下持续萎缩，模组厂端亦面临成本与销售双重困境，NAND Flash wafer需求收敛。在库存调节与利润的考量下，wafer成为原厂出货优先级最低的产品，因市场流通量极度稀缺，第二季价格维持上涨。
文章来源：TrendForce集邦咨询
