江波龙电子DDR5内存横空出世，多项实测数据首次对公众开放

由 winniewei 提交于周二, 16 三月 2021 - 09:43

2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段，自2020年以来，5G、AI、汽车、电竞市场需求的居高不下，加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后，DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

江波龙电子（以下简称“Longsys”）紧跟存储技术发展前沿，为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望，进而为存储行业应用的未来提供更多可能性，在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品（ES1）。此外，Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。

DDR5内存速率高达6400Mbps 
是DDR4的两倍

此次DDR5的产品发布，涉及两款全新架构产品原型，分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相较于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

<table border="1" cellpadding="0" cellspacing="0">
<tbody>
<tr>
<td>
产品系列 
</td>
<td>
DDR5 UDIMM
</td>
<td>
DDR5 UDIMM
</td>
</tr>
<tr>
<td>
容量
</td>
<td>
16GB
</td>
<td>
32GB
</td>
</tr>
<tr>
<td>
设计参考
</td>
<td>
JEDEC R/C A 0.50
</td>
<td>
JEDEC R/C B 0.51
</td>
</tr>
<tr>
<td>
设计架构
</td>
<td>
1Rank x8 / 288PIN
</td>
<td>
2Rank x8 / 288PIN
</td>
</tr>
<tr>
<td>
速度
</td>
<td>
6400Mbps
</td>
<td>
6400Mbps
</td>
</tr>
<tr>
<td>
延迟时序
</td>
<td>
CL 40
</td>
<td>
CL 40
</td>
</tr>
<tr>
<td>
VDD/VDDQ/VPP
</td>
<td>
1.1V/1.1V/1.8V
</td>
<td>
1.1V/1.1V/1.8V
</td>
</tr>
<tr>
<td>
工作温度
</td>
<td>
0摄氏度 ~ +95摄氏度
</td>
<td>
0摄氏度~ +95摄氏度
</td>
</tr>
<tr>
<td>
储存温度
</td>
<td>
-55摄氏度 ~ +100摄氏度
</td>
<td>
-55摄氏度 ~ +100摄氏度
</td>
</tr>
<tr>
<td>
DRAM P/N
</td>
<td>
MT60B2G8HB-48B:A
</td>
<td>
MT60B2G8HB-48B:A
</td>
</tr>
<tr>
<td>
DRAM 密度
</td>
<td>
16Gb(2Gx8)
</td>
<td>
16Gb(2Gx8)
</td>
</tr>
<tr>
<td>
PCB Layout
</td>
<td>
8 Layer
</td>
<td>
8 Layer
</td>
</tr>
<tr>
<td>
PCB 尺寸
</td>
<td>
133.35 * 31.25 * 1.27 mm
</td>
<td>
133.35 * 31.25 * 1.27 mm
</td>
</tr>
</tbody>
</table>

全方位数据测试 
性能稳定突出

Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累，在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入，此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。其中，展示的测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板，搭配Longsys DDR5 32GB 4800内存模组，并配置Windows 10 Pro x64操作系统，分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

<img alt="江波龙电子DDR5内存横空出世，多项实测数据首次对公众开放" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2ccaf7d4-ca15-4851-8689-e64915176e28" src="http://new.eetrend.com/files/2021-03/wen_zhang_/100062956-125932-1.jpg&…; /> 
通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道

1 鲁大师测试数据

首先呈现的是硬件配置，内存识别为Longsys ID。

通过鲁大师测试，Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高达19万分有余。

2 AIDA64测试数据

通过测试，能够获取到Longsys DDR5 32GB 6400读/写/拷贝/延迟的性能跑分。

为了更加直观地体现性能的提升力度，还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示，Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。

<table border="1" cellpadding="0" cellspacing="0">
<tbody>
<tr>
<td colspan="2">
Production
</td>
<td>
Longsys 
DDR5 
32GB 4800
</td>
<td>
Longsys 
DDR4 
32GB 3200
</td>
<td rowspan="2">
各指标性能提升能力
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2">
CL
</td>
<td>
40
</td>
<td>
22
</td>
</tr>
<tr>
<td rowspan="4">
AIDA64
</td>
<td>
Read
</td>
<td>
35844
</td>
<td>
25770
</td>
<td>
28%
</td>
</tr>
<tr>
<td>
Write
</td>
<td>
32613
</td>
<td>
23944
</td>
<td>
27%
</td>
</tr>
<tr>
<td>
Copy
</td>
<td>
28833
</td>
<td>
25849
</td>
<td>
10%
</td>
</tr>
<tr>
<td>
Latency
</td>
<td>
112.1
</td>
<td>
56.8
</td>
<td>
--
</td>
</tr>
<tr>
<td>
鲁大师
</td>
<td>
内存跑分
</td>
<td>
193864
</td>
<td>
91757
</td>
<td>
53%
</td>
</tr>
</tbody>
</table>

核心指标揭秘 
Longsys DDR5新技术强大之处

<table border="1" cellpadding="0" cellspacing="0">
<tbody>
<tr>
<td>
功能/指标
</td>
<td>
技术/参数
</td>
</tr>
<tr>
<td>
纠错模式
</td>
<td>
支持On-die-ECC
</td>
</tr>
<tr>
<td>
预取模式
</td>
<td>
支持16n Prefetch模式（BL16）
</td>
</tr>
<tr>
<td>
端到端接收模式
</td>
<td>
扩展增加CA/CS类信号ODT
</td>
</tr>
<tr>
<td>
均衡模式
</td>
<td>
支持DFE技术（增强信号完整性）
</td>
</tr>
<tr>
<td>
电源管理模式
</td>
<td>
增加PMIC集成功能
</td>
</tr>
<tr>
<td>
刷新模式
</td>
<td>
支持SAME-BANK Refresh技术
</td>
</tr>
<tr>
<td>
通道模式
</td>
<td>
内置独立双通道机制
</td>
</tr>
<tr>
<td>
阵列分层模式
</td>
<td>
支持8个BG，共32个Banks
</td>
</tr>
</tbody>
</table>

纠错能力增加

在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

增加16n的预取模式

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的强化

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍，并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟，加倍提高了系统的整体效率，允许更多页面同时被打开。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

FORESEE DDR5 内存模组产品（ES1）

未来的应用场景不断革新和进步，对存储技术提出了更严苛的要求，亦大大加速了DDR5发展进程，各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域，比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署，此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

Lexar雷克沙 DDR5 内存模组产品（ES1）

随着全球大量资本进入电竞市场，促进了电竞行业日渐普及与成熟，这也让电竞玩家对内存等电脑配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不仅能够助力电竞玩家拥有更流畅的电竞体验，亦能带动电竞行业的可持续性发展。非但如此，对于白领用户，特别是设计师、剪辑师等对设备性能有刚需的职业，Lexar雷克沙DDR5可有效提高办公效率，将更多时间留给创造性工作。

结语

尽管Longsys内存产品线起步较晚，但能够在技术创新的征途上愈战愈勇，源于Longsys专注存储行业20余年的技术底蕴，以及打造高品质存储产品的决心。截止2021年3月12日，Longsys申请专利总数达到838个，其中境外专利申请178项；已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项；软件著作权65项。在紧握自主创新能力的同时，注重对知识产权的保护。

今年，Longsys内存产品线仍将精益求精，持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务，助力行业客户、终端用户投入DDR5到未来的应用场景中，为存储生态领域增添色彩。